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IPB77N06S3-09中文资料

IPB77N06S3-09图片

IPB77N06S3-09外观图

  • 大小：156.37KB
  • 厂家：INFINEON [Infineon Technologies AG]
  • 描述：OptiMOS㈢-T Power-Transistor
  • 制造商：Infineon
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：55 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 20 V
  • 漏极连续电流：77 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：8.8 m Ohms
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 175 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：TO-263
  • 封装：Reel
  • 下降时间：51 ns
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：107 W
  • 上升时间：51 ns
  • 典型关闭延迟时间：29 ns
  • 零件号别名：IPB77N06S309XT

IPB77N06S3-09供应商

更新时间:2022-12-31 15:46:40
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